RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
12.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
46
Wokół strony -84% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.6
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
3200
Wokół strony 5.31 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
25
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
12.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
10.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
17000
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
1511
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link