RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
40
46
Wokół strony -15% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
9.3
2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.3
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
3200
Wokół strony 5.31 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
40
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
9.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
7.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
17000
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
1773
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston 9905678-110.A00G 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905624-036.A00G 8GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Samsung M391B1G73BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link