RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
15.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
42
46
Wokół strony -10% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.0
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
3200
Wokół strony 8 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
42
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
13.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
25600
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
3033
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
AMD R744G2400U1S 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBD 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston KKRVFX-MIE 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMK64GX4M4B3600C18 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link