RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
15.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
46
Wokół strony -48% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.8
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
3200
Wokół strony 6.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
31
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
15.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
10.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
21300
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
3109
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 9905630-039.A00G 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMK32GX4M2B3000C15 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Super Talent F26UB16GH 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260MD78HAF-2666 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Kingston 9905713-004.A00G 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4Z3200C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link