RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
46
90
Wokół strony 49% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
15.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.7
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
3200
Wokół strony 6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
90
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
8.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
19200
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
1743
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kllisre 99P5428-002.A00LF 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.M8FADG 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link