RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
16.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
46
Wokół strony -100% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.7
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
3200
Wokół strony 6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
23
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
12.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
19200
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
2790
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Transcend Information TS1GLH72V1H 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link