RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB vs Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
14.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,451.8
11.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
65
Wokół strony -86% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
35
Prędkość odczytu, GB/s
4,605.9
14.8
Prędkość zapisu, GB/s
2,451.8
11.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
878
2566
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB Porównanie pamięci RAM
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CM4X8GD3600C18K2D 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G24002 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHAB 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 99U5702-020.A00G 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FE1 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZC0B 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8D 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
V-Color Technology Inc. TA48G32S816SK 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link