RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB vs Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,451.8
13.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
65
Wokół strony -71% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
38
Prędkość odczytu, GB/s
4,605.9
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,451.8
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
878
3092
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
Kingston 99U5474-026.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link