RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB vs G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
18.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,451.8
14.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
65
Wokół strony -97% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
33
Prędkość odczytu, GB/s
4,605.9
18.1
Prędkość zapisu, GB/s
2,451.8
14.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
878
3596
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
Mushkin 991586 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston XRMWRN-HYA 16GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Mushkin 991586 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3300C16 4GB
Kingston 9905316-005.A04LF 1GB
Corsair CM4X8GE3000C15K4 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link