RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB vs Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Wynik ogólny
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
12.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,451.8
10.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
46
65
Wokół strony -41% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
46
Prędkość odczytu, GB/s
4,605.9
12.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,451.8
10.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
878
2325
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB Porównanie pamięci RAM
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Avant Technology J641GU42J7240ND 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FHP 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4BL.M16FB 32GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Super Talent F26UB16GH 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905700-025.A00G 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.16FB 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link