RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,451.8
12.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
65
Wokół strony -171% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
24
Prędkość odczytu, GB/s
4,605.9
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,451.8
12.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
878
2969
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Apacer Technology 78.CAGPW.40C0B 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
V-Color Technology Inc. TA48G32S816SK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905712-016.A00G 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMW64GX4M4D3600C18 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMK64GX4M2E3200C16 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link