RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,451.8
12.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
65
Wokół strony -171% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
24
Prędkość odczytu, GB/s
4,605.9
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,451.8
12.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
878
2969
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CMK64GX4M2Z4000C18 32GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Kingston 9965669-032.A00G 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 9905701-004.A00G 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Kingston 9905665-014.A00G 4GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9905624-018.A00G 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M3 93T2950CZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Corsair CMK64GX4M4B2800C14 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905701-021.A00G 16GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link