RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB vs Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
65
75
Wokół strony 13% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
13.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.0
2,451.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
75
Prędkość odczytu, GB/s
4,605.9
13.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,451.8
7.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
878
1457
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston 9905701-010.A00G 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link