RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB vs ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Wynik ogólny
ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,096.4
11.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
60
Wokół strony -140% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
60
25
Prędkość odczytu, GB/s
4,168.7
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,096.4
11.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
693
2765
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston 99U5471-039.A00LF 8GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Super Talent F21UB8GS 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
AMD R748G2133U2S-UO 8GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link