RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,168.2
14.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
60
Wokół strony -131% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
60
26
Prędkość odczytu, GB/s
4,595.2
17.7
Prędkość zapisu, GB/s
2,168.2
14.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
941
3692
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Apacer Technology D22.23263S.002 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMW64GX4M4Z2933C16 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
InnoDisk Corporation 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link