RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,168.2
11.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
49
60
Wokół strony -22% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
5300
Wokół strony 4.83 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
60
49
Prędkość odczytu, GB/s
4,595.2
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
2,168.2
11.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
25600
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
941
2589
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CM4B8G2J2666A15D 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
InnoDisk Corporation 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9965662-015.A00G 16GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CMT32GX4M2D3600C18 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link