RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
14.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
60
Wokół strony -71% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.8
2,168.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
60
35
Prędkość odczytu, GB/s
4,595.2
14.8
Prędkość zapisu, GB/s
2,168.2
6.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
941
2091
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CM4X16GE2400C14K4 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Apacer Technology 78.CAGNT.4050B 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BLT8G4D30BET4K.C8FD 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston K1CXP8-MIE 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link