RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
19.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,168.2
16.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
60
Wokół strony -122% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
60
27
Prędkość odczytu, GB/s
4,595.2
19.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,168.2
16.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
941
3827
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLE16G4D30AEEA.K16FB 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
Crucial Technology BLT4G3D1337DT1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston 9905702-121.A00G 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link