RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,168.2
17.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
60
Wokół strony -122% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
60
27
Prędkość odczytu, GB/s
4,595.2
17.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,168.2
17.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
941
3714
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Elpida EBJ40UG8EFU5-GNL-F 4GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 99U5700-028.A00G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB
Mushkin 994083 4GB
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link