RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Wynik ogólny
ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
11.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
65
Wokół strony -171% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.3
2,784.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
24
Prędkość odczytu, GB/s
4,806.8
11.9
Prędkość zapisu, GB/s
2,784.6
6.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
932
1218
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Corsair CM4X16GE2133C13K8 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMD64GX4M4C3200C16 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link