RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C14 4GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Corsair CMK8GX4M2A2400C14 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMK8GX4M2A2400C14 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,784.6
11.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMK8GX4M2A2400C14 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
65
Wokół strony -97% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C14 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
33
Prędkość odczytu, GB/s
4,806.8
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
2,784.6
11.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
932
2730
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C14 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C14 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Panram International Corporation W4U2133PS-8G 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston KHX2666C13D4/8GX 8GB
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Kingston 9905622-051.A00G 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19/16G 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link