RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,784.6
10.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
44
65
Wokół strony -48% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
44
Prędkość odczytu, GB/s
4,806.8
17.3
Prędkość zapisu, GB/s
2,784.6
10.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
932
2523
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9965643-002.A01G 4GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBR2 8GB
Apacer Technology 78.A1GA0.9L4 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston 9965662-013.A01G 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingston KHX3000C15D4/8GX 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link