RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,784.6
13.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
65
Wokół strony -110% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
31
Prędkość odczytu, GB/s
4,806.8
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
2,784.6
13.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
932
3405
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Avant Technology J642GU42J7240N2 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C15 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Apacer Technology D22.23263S.002 16GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link