RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
14.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,784.6
13.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
65
Wokół strony -71% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
38
Prędkość odczytu, GB/s
4,806.8
14.8
Prędkość zapisu, GB/s
2,784.6
13.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
932
2843
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9965589-030.D01G 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston ACR26D4U9D8MH-16 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMK32GX4M2Z4000C18 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link