RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
65
72
Wokół strony 10% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.1
2,784.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
72
Prędkość odczytu, GB/s
4,806.8
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,784.6
8.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
932
1728
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3600 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Samsung M393B5170GB0-CH9 4GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Corsair CM4B8G2J3000K15K 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link