RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
46
65
Wokół strony -41% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.8
2,784.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
46
Prędkość odczytu, GB/s
4,806.8
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
2,784.6
9.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
932
2632
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Kingston KHX3466C16D4/8GX 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 9905678-043.A00G 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Corsair CM4B8G2J2666A15D 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link