RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Wynik ogólny
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,784.6
14.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
65
Wokół strony -91% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
34
Prędkość odczytu, GB/s
4,806.8
17.3
Prędkość zapisu, GB/s
2,784.6
14.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
932
3145
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.CAGPW.40C0B 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FA 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CM4X16GC3200C16K4 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston 9905700-024.A00G 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link