RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
18.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
20
56
Wokół strony -180% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.2
1,501.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
4200
Wokół strony 4.05 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
56
20
Prędkość odczytu, GB/s
3,161.0
18.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,501.2
14.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
4200
17000
Other
Opis
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
4-4-4-12 / 533 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
381
3540
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB Porównanie pamięci RAM
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C16 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung M393A2K40BB0-CPB 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston XJ69DF-HYA 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4300 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4000 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link