RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Porównaj
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB vs AMD R748G2606U2S 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
AMD R748G2606U2S 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
52
61
Wokół strony 15% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
AMD R748G2606U2S 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.9
1,906.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
52
61
Prędkość odczytu, GB/s
4,672.4
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,906.4
8.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
698
2028
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 91T2953EZ3-CF7 1GB
Samsung M3 78T2953GZ3-CF7 1GB
AMD R748G2606U2S 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Kingston KF3000C15D4/8GX 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link