RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Porównaj
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB vs Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
52
Wokół strony -68% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.9
1,906.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
52
31
Prędkość odczytu, GB/s
4,672.4
17.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,906.4
12.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
698
3222
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 91T2953EZ3-CF7 1GB
Samsung M3 78T2953GZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMK128GX4M8A2666C16 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905744-023.A00G 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CM4X16GE2400C16K4 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
SK Hynix HMT325S6EFR8A-PB 2GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link