RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Porównaj
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
18
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
52
Wokół strony -93% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.5
1,906.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
52
27
Prędkość odczytu, GB/s
4,672.4
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,906.4
14.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
698
3531
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 91T2953EZ3-CF7 1GB
Samsung M3 78T2953GZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Avant Technology J642GU42J5213NF 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GFX 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G13332 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Transcend Information JM3200HSE-32G 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Kingston KMKYF9-MIH 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Super Talent F24EA8GS 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7W0B 8GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8X 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link