RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Porównaj
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
52
Wokół strony -73% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.7
1,906.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
52
30
Prędkość odczytu, GB/s
4,672.4
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,906.4
12.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
698
3164
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 91T2953EZ3-CF7 1GB
Samsung M3 78T2953GZ3-CF7 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link