RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Porównaj
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB vs Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
14.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
52
Wokół strony -93% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.4
1,906.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
52
27
Prędkość odczytu, GB/s
4,672.4
14.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,906.4
7.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
698
2356
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 91T2953EZ3-CF7 1GB
Samsung M3 78T2953GZ3-CF7 1GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Kingston 99U5713-003.A00G 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Avant Technology W641GU48J7240ND 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CM4B16G7L2666A16K2-O 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C15 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link