RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Porównaj
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB vs Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
52
Wokół strony -63% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.9
1,906.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
52
32
Prędkość odczytu, GB/s
4,672.4
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,906.4
7.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
698
2322
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 91T2953EZ3-CF7 1GB
Samsung M3 78T2953GZ3-CF7 1GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 99U5702-025.A00G 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Kingston 99U5474-036.A00LF 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G1600L81S 4GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kingston 9965589-006.E00G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905702-137.A00G 8GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Apacer Technology 76.D305G.D060B 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link