RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
77
Wokół strony -166% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.4
2,622.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
29
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
8.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
2513
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2800C16 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMK64GX4M4D3000C16 16GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Kingston 9905624-022.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston KDK8NX-MIE 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Kingston KHX2400C15D4/8G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston XN205T-MIE2 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905713-028.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link