RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
22
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
17.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
17
77
Wokół strony -353% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
17
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
22.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
17.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
3731
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CMD32GX4M4A2800C16 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3866C18 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link