RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
18.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
14.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
77
Wokół strony -185% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
27
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
18.1
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
14.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
3446
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9905702-184.A00G 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
AMD R744G2133U1S 4GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMK32GX4M4C3400C16 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Corsair CMK16GX4M4C3200C15 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link