RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
77
Wokół strony -157% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.9
2,622.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
30
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
15.1
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
9.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
2732
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston 9905624-016.A00G 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Corsair CMK32GX4M2D3000C16 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Corsair CMV8GX3M1A1600C11 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FH 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905711-032.A00G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Panram International Corporation M424051 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905704-007.A00G 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link