RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
13.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
10.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
77
Wokół strony -185% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
27
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
13.3
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
10.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
2823
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Kingston 9965525-010.A00LF 4GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-4 4GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C15 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston KHX4266C19D4/8GX 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Team Group Inc. 16GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMW16GX4M1D3000C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4X8GF3000C15K4 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link