RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
15.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
77
Wokół strony -157% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
30
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
15.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
3636
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston HP32D4S2S8ME-16 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3733C17 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CM4X8GE3000C15K4 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Apacer Technology 78.CAGMT.40C0B 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link