RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
12.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
77
Wokół strony -120% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
35
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
16.3
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
12.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
2863
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Mushkin 991586 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FAD1 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Kingston 9905701-008.A00G 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston KHX3000C16D4/16GX 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
AMD R748G2606U2S 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905598-040.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
AMD R748G2400U2S 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Jinyu 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link