RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
13.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
77
Wokół strony -175% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
28
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
13.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
3211
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0C 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Avant Technology W641GU48J5213ND 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link