RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
18.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
15.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
77
Wokół strony -196% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
26
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
18.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
15.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
3332
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Panram International Corporation M424051 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston KHX2133C15S4/8G 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston XJV223-MIE 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Kingston 9905599-025.A00G 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB
Kingston KHX1600C10D3/8GXF 8GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston 9905702-121.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link