RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
20.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
16.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
77
Wokół strony -235% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
23
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
20.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
16.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
3819
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology RM51264BA1339.16FR 4GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD2 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Team Group Inc. Team--Elite-1333 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Apacer Technology 78.C2GFA.AF30B 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingston 99U5402-492.A00LF 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A1600C10 8GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Kingston 99U5643-001.A00G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link