RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
19.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
15.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
77
Wokół strony -175% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
28
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
19.7
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
15.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
3717
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 9965662-010.A00G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMD32GX4M2B3000C15 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMZ 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMR64GX4M4C3200C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link