RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
19.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
18.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
77
Wokół strony -221% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
24
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
19.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
18.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
4219
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Apacer Technology 78.BAGMD.AF20B 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Kingston 9905624-018.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston 99U5665-001.A00G 4GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Kingston 9905403-001.B00LF 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Kingston 9965596-002.B00G 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C16 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link