RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
23
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
15
77
Wokół strony -413% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
21.0
2,622.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
15
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
23.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
21.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
4039
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD R5316G1609U2K 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
Crucial Technology BLT8G3D1608DT1TX0. 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CM4X8GF2400C14K4 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston 9905622-055.A00G 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link