RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
77
99
Wokół strony 22% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
14.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.9
2,622.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
99
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
14.2
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
6.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
1499
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMU32GX4M2A2666C16 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Kingston 99U5471-037.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB
Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB
Corsair CMSX64GX4M2A2933C19 32GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
AMD R744G2400U1S 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link