RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
14.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
41
77
Wokół strony -88% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.7
2,622.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
41
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
14.7
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
7.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
2154
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CM4X16GE2133C15S2 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CM4S16GL3200K18K2 16GB
Kingston HMT351U6CFR8C-PB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002S 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9905624-046.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link