RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
19.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
15.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
19
77
Wokół strony -305% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
19
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
19.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
15.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
3435
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Corsair CMK32GX4M4K3600C16 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4000 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston 9905624-043.A00G 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston 9905702-007.A00G 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Kingston 9905678-014.A00G 4GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19C 4GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19B 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link