RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Porównaj
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15
14.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
36
Wokół strony -33% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.2
10.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
36
27
Prędkość odczytu, GB/s
15.0
14.8
Prędkość zapisu, GB/s
10.3
11.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
19200
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2569
2426
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C14 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BL32G36C16U4BL.M16FB 32GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Corsair CM4X8GF2133C13K4 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston XN205T-MIE 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMK64GX4M4A2400C14 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link